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安森美+英诺赛科联手,破解氮化镓应用困局-芯城品牌采购网

2025年12月,功率半导体领域传来重磅消息:安森美英诺赛科正式签署合作备忘录,聚焦40-200V中低压氮化镓器件展开深度协作。此次双方优势互补——英诺赛科输出成熟氮化镓技术与量产能力,安森美贡献系统集成及封装实力,直指氮化镓普及路上的产能与成本两大核心瓶颈。这场合作瞄准的是潜力巨大的市场。Yole数据显示,2030年全球氮化镓功率器件市场规模将达29亿美元,2024至2030年复合年增长率高达

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使用氮化镓IC对离线式电源的大电容进行优化-芯城品牌采购网

额定功率低于75W的适配器的组成元件包括:输入滤波器、二极管整流器、输入和输出电容、IC控制器、辅助电源、磁性元件、功率器件和散热片。集成解决方案在缩小和简化变换器方面已经取得了长足的进步,剩下的最大元件就是磁性元件、输入大电容、输出电容和EMI输入级。为了减小磁性元件的尺寸,在高频AC/DC变换器的设计上投入了大量的研究和工程工作。然而,输入大电容所占体积与适配器内的磁性元件相比却差不多甚至更大

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世界先进今(22)日宣布,其领先的八英寸0.35微米650V的新基底高电压氮化镓制程(GaN-on-QST)已于客户端完成首批产品系统及可靠性验证,正式进入量产,为特殊集成电路制造服务领域首家量产此技术的公司。世界先进指出,2018年以Qromis基板技术(简称QSTTM)进行八英寸QST基板的0.35微米650VGaN-on-QST制程开发,于今年第一季开发完成,于第四季成功量产,世界先进同时已

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